![Wnętrze nanorurki](/media/lib/120/n-1211362062_222573-2bf3808c0ef2a54a22e50711bb9bc74d.jpeg)
IBM ogłasza nanorurkowy przełom
29 października 2012, 09:30Badacze z IBM-a poinformowali na łamach Nature o dokonaniu przełomu, który zbliża nas do pojawienia się na rynku układów scalonych wykorzystujących węglowe nanorurki (CNT). Inżynierowie z laboratorium w Nowym Jorku opracowali technologię umieszczania dużej liczby tranzystorów CNT na pojedynczym układzie scalonym
![](/media/lib/59/normal_graphene-034831f20004e0ac8c79e900da0240e0.jpg)
Powstał 100-milimetrowy plaster grafenowy
25 stycznia 2010, 13:16Naukowcy z Electro-Optics Center (EOC) Material Division na Pennsylvania State University stworzyli 100-milimetrowy plaster grafenowy. To niezwykle ważny krok w kierunku wykorzystania grafenu do budowy urządzeń elektronicznych.
![](/media/lib/210/n-german-71a026a31be25f9937ce42ad33aa279a.jpg)
German zamiast krzemu
11 grudnia 2014, 11:47Purdue University ma na swoim koncie ważne osiągnięcie w historii rozwoju półprzewodników. To właśnie naukowcy z tej uczelni dostarczyli w 1947 roku bardzo ważny element pierwszego tranzystora – półprzewodnik z oczyszczonego germanu. Teraz specjaliści z tej samej uczelni stworzyli pierwszy układ elektroniczny (CMOS), w którym krzem zastąpiono germanem.
![](/media/lib/77/synapsa-z-nanorurek-3864434e0c1a88ba1040bb0b70c26b2e.jpg)
Uzyskano działającą synapsę z nanorurek węglowych
22 kwietnia 2011, 10:10Inżynierowie z Uniwersytetu Południowej Kalifornii uzyskali funkcjonującą synapsę z węglowych nanorurek. Rozwiązanie będzie można wykorzystać w protezach mózgowych lub po spięciu wielu takich synaps, do stworzenia syntetycznego mózgu.
![](/media/lib/16/1192701796_553645-b90a4573cd91fbf992b15c1d6a26a489.jpeg)
Memrystorowo-tranzystorowa hybryda
27 listopada 2008, 13:00Podczas Memristor and Memristor System Symposium, które odbyło się w Berkeley, zademonstrowano pierwszy w historii układ będący połączeniem memrystorów z tranzystorami.
![](/media/lib/93/n-chiny-aec505684101f470e09587484b316449.jpg)
Chiny gonią Zachód
27 grudnia 2012, 08:27Instytut Mikroelektroniki Chińskiej Akademii Nauk poinformował o stworzeniu rodzimego 22-nanometrowego tranzystora MOSFET z metalową bramką i materiałami o wysokiej stałej dielektrycznej. Chińczycy zapewniają, że urządzenie charakteryzuje się światowej klasy wydajnością.
![](/media/lib/40/grafenowy-tranzystor-b6d811bdb00e782ed4a2d467cfa19a06.jpg)
Grafenowy tranzystor niemal jak CMOS
28 stycznia 2010, 12:35Specjaliści z IBM-a otworzyli pasmo wzbronione w tranzystorze polowym (FET) wykonanym z grafenu, pokonując tym samym jedną z ostatnich przeszkód na drodze do skomercjalizowania grafenowej elektroniki. Ich grafenowy FET, jak zapewniają, będzie w przyszłości mógł konkurować z tranzystorami CMOS.
![](/media/lib/100/n-zwitek-banknotow-ea56596110c0c55a490ec58008d3f7da.jpg)
Nadchodzi azotek galu
11 maja 2015, 12:46Kalifornijska firma Efficient Power Conversion jest pierwszą, która zaoferowała tranzystory mocy wykonane z azotku galu w cenie niższej niż tranzystory z krzemu. To pierwszy przypadek, gdy urządzenie ma wysoką wydajność i jest tańsze niż jego krzemowy odpowiednik. Azotek galu przejął pałeczkę - mówi Alex Lidow, prezes firmy.
Przełączanie gorącego nadprzewodnika
7 lipca 2011, 10:53Gorące nadprzewodniki można włączać i wyłączać w ciągu biliardowych części sekundy. Naukowcy z University of Oxford i Instytutu Maksa Plancka z Uniwersytetu w Hamburgu stworzyli ultraszybki przełącznik nadprzewodnikowy.
![Wnętrze nanorurki](/media/lib/28/1211362062_222573-6281a52c160d4ca159de739148acddc4.jpeg)
Nanorurki jak flash
27 stycznia 2009, 19:10Naukowcy z Finlandii stworzyli pamięć masową z węglowych nanorurek, której prędkość pracy dorównuje kartom pamięci czy klipsom USB. Odczyt i kasowanie danych odbywa się w ciągu 100 nanosekund, czyli 100 000 razy szybciej, niż wcześniej wyprodukowane nanorurkowe pamięci masowe. Fińskie urządzenie wytrzymuje ponad 10 000 cykli zapisu/kasowania.